Hiina tehasehind 99,9999% kõrge puhtusastmega Sih4 gaasi silaangaas pooljuhtide sadestamiseks

Sõltumata uuest kliendist või eelmisest kliendist usume Hiina 99,9999% kõrge puhtusastmega Sih4 gaasi tehasehinna pikendamisse ja usaldusväärsetesse suhetesseGaas silaanpooljuhtide sadestamise protsessi jaoks ootame uusi ja vanu ostjaid meiega telefoni teel ühendust võtma või posti teel päringuid lähitulevikus ettevõtete ühenduste ja vastastikuste saavutuste saavutamiseks.
Olenemata uuest kliendist või eelmisest kliendist, me usume pikema ajaperioodi ja usaldusväärsesse suhtesseHiina Sih4, Gaas silaan, Suurematele turunõudlustele ja pikaajalisele arengule vastamiseks on pooleli 150 000 ruutmeetri suurune uus tehas, mis võetakse kasutusele 2014. aastal. Seejärel on meie käsutuses suur tootmisvõimsus. Loomulikult jätkame teenindussüsteemi täiustamist, et see vastaks klientide nõudmistele, tuues tervist, õnne ja ilu kõigile.

Tehnilised parameetrid

Silaan on räni ja vesiniku ühend. See on üldnimetus mitmete ühendite jaoks, sealhulgas monosilaan (SiH4), disilane (Si2H6) ja mõned kõrgema tasemega räni-vesiniku ühendid. Nende hulgas on kõige levinum monosilaan, mida mõnikord nimetatakse lühidalt silaaniks. Silaan on vastiku küüslaugulõhnaga värvitu gaas. Vees lahustuv, etanoolis, eetris, benseenis, kloroformis, ränikloroformis ja ränitetrakloriidis peaaegu lahustumatu. Silaanide keemilised omadused on palju aktiivsemad kui alkaanid ja kergesti oksüdeeruvad. Õhuga kokkupuutel võib tekkida isesüttimine. See ei reageeri lämmastikuga temperatuuril alla 25 °C ega reageeri toatemperatuuril süsivesinike ühenditega. Silaani tulekahju ja plahvatus on hapnikuga reageerimise tagajärg. Silaan on äärmiselt tundlik hapniku ja õhu suhtes. Teatud kontsentratsiooniga silaan reageerib plahvatuslikult ka hapnikuga temperatuuril -180 °C. Silaanist on saanud kõige olulisem pooljuhtide mikroelektroonika protsessides kasutatav erigaas, mida kasutatakse mitmesuguste mikroelektrooniliste kilede, sealhulgas monokristallkilede, mikrokristalliliste, polükristalliliste, ränioksiidi, räni nitriidi ja metallisilitsiidide valmistamisel. Silaani mikroelektroonilised rakendused arenevad endiselt sügavalt välja: madala temperatuuriga epitaksia, selektiivne epitaksia ja heteroepitaksiaalne epitaksia. Mitte ainult räniseadmetele ja räni integraallülitustele, vaid ka liitpooljuhtseadmetele (galliumarseniid, ränikarbiid jne). Sellel on rakendusi ka supervõre kvantkaevude materjalide valmistamisel. Võib öelda, et silaani kasutatakse tänapäeval peaaegu kõigil täiustatud integraallülituste tootmisliinidel. Silaani kasutamine räni sisaldava kile ja kattekihina on laienenud traditsioonilisest mikroelektroonikatööstusest erinevatesse valdkondadesse, nagu teras, masinad, kemikaalid ja optika. Teiseks potentsiaalseks silaani kasutusalaks on suure jõudlusega keraamiliste mootoriosade valmistamine, eelkõige on silaani kasutamine silitsiidse (Si3N4, SiC jne) mikropulbritehnoloogia tootmiseks pälvinud üha enam tähelepanu.

Rakendus:

①Elektrooniline:

Silaani kantakse pooljuhtide ja hermeetikute valmistamisel räniplaatide polükristallilise räni kihtidele.

② Päikeseenergia:

Silaani kasutatakse fotogalvaaniliste päikesemoodulite valmistamisel.

③ Tööstuslik:

Seda kasutatakse energiasäästlikus rohelises klaasis ja seda kasutatakse õhukese kile aurustamise-sadestamise protsessis.

Tavaline pakett:

Eelis:

①Rohkem kui kümme aastat turul;

②ISO sertifikaadi tootja;

③ kiire kohaletoimetamine;

④ Stabiilne tooraineallikas;

⑤On-line analüüsisüsteem kvaliteedikontrolliks igal sammul;

⑥ Kõrged nõuded ja hoolikas protsess ballooni käsitsemiseks enne täitmist;

⑦ Puhtus: kõrge puhtusastmega elektrooniline klass;

⑧Kasutus: päikesepatareide materjalid; kõrge puhtusastmega polüräni, ränioksiidi ja optilise kiu valmistamine; värvilise klaasi tootmine.Olenemata uuest kliendist või eelmisest kliendist, usume Hiina tehasehinna 99,9999% kõrge puhtusastmega Sih4 gaasi silaangaasi pooljuhtide sadestamise protsessi pikendatud ajaperioodi ja usaldusväärsetesse suhetesse. Ootame uusi ja vanu ostjaid meiega telefoni või telefoni teel ühendust võtma. saatke meile posti teel päringuid lähitulevikus ettevõtete ühenduste ja vastastikuste saavutuste saavutamise kohta.
Tehase hindHiina Sih4, Silane Gas, Turu suuremate nõudluse ja pikaajalise arengu täitmiseks on pooleli 150 000 ruutmeetri suurune uus tehas, mis võetakse kasutusele 2014. aastal. Siis on meie käsutuses suur võimsus tootmisest. Loomulikult jätkame teenindussüsteemi täiustamist, et see vastaks klientide nõudmistele, tuues tervist, õnne ja ilu kõigile.