Vesinikkloriid (HCl)

Tehnilised parameetrid:

Vesinikkloriidi keemiline valem on HCl.Vesinikkloriidi molekul koosneb klooriaatomist ja vesinikuaatomist.See on terava lõhnaga värvitu gaas.Söövitav, mittesüttiv gaas, ei reageeri veega, kuid on vees kergesti lahustuv.Sageli esineb see õhus vesinikkloriidhappe aurude kujul.Vesinikkloriid lahustub kergesti etanoolis ja eetris ning lahustub ka paljudes teistes orgaanilistes ainetes;vees väga kergesti lahustuv, 0 °C juures võib 1 mahuosa vett lahustada ligikaudu 500 mahuosa vesinikkloriidi.Selle vesilahust tuntakse tavaliselt vesinikkloriidhappena ja selle teaduslik nimi on vesinikkloriidhape.Kontsentreeritud vesinikkloriidhape on lenduv.Vesinikkloriid on värvitu, sulamistemperatuur on -114,2 °C ja keemistemperatuur -85 °C.See ei põle õhu käes ja on termiliselt stabiilne.See laguneb alles umbes 1500 °C juures.Sellel on lämmatav lõhn, see ärritab tugevalt ülemisi hingamisteid ning söövitab silmi, nahka ja limaskesti.Tihedus on õhust suurem.Kuiva vesinikkloriidi keemilised omadused on väga passiivsed.Leelismetallid ja leelismuldmetallid võivad vesinikkloriidis põleda ning naatriumi põlemisel eraldub erekollane leek.Vesinikkloriidi kasutatakse naftakeemiatööstuses katalüsaatorite efektiivsuse ja regenereerimise edendamiseks ning nafta viskoossuse suurendamiseks;seda saab kasutada klorosulfoonhappe, sünteetilise kautšuki jms tootmiseks;seda saab kasutada ka värvainete, lõhnaainete, ravimite sünteesi, erinevate kloriidide ja korrosiooniinhibiitorite valmistamiseks ning kõvametalli puhastamiseks, peitsimiseks, galvaniseerimiseks, parkimiseks, rafineerimiseks või tootmiseks.Kõrge puhtusastmega vesinikkloriidgaasi kasutatakse elektroonikatööstuses laialdaselt räni epitaksiaalse kasvu, aurufaasi poleerimise, getterimise, söövitamise ja puhastamise protsessides.

Rakendus:

① Materjal:

Enamikku vesinikkloriidi kasutatakse vesinikkloriidhappe tootmisel.See on oluline reagent ka muudes tööstuslikes keemilistes muundamistes.

② Pooljuht:

Pooljuhtide tööstuses kasutatakse seda nii pooljuhtkristallide söövitamiseks kui ka räni puhastamiseks triklorosilaani (SiHCl3) kaudu.

③Labor:

Laboris on gaasi veevabad vormid eriti kasulikud kloriidipõhiste Lewise hapete tekitamiseks, mis peavad olema täiesti kuivad, et nende Lewise alad toimiksid.

Tavaline pakett:

Eelised:

①Kõrge puhtusastmega, uusim rajatis;

②ISO sertifikaadi tootja;

③ kiire kohaletoimetamine;

④On-line analüüsisüsteem kvaliteedikontrolliks igal sammul;

⑤ Kõrged nõuded ja hoolikas protsess silindri käsitsemiseks enne täitmist;